从上图我们可以看出，这个电源属于典型的反激转换型开关电源，我们也可以称之为回扫变压器型开关电源。这个电路从功能上大致可以分为电源输入电路，启动电路，主开关电路，保护电路，二次绕组整流滤波电路及反馈稳压电路。

电源输入电路：

主要由保险管F1、差模电容C11、C12；共模扼流圈L1、NTC、共模C3与C6；整流器D6；高压滤波电容E2、E3组成。

启动电路主要由R5；R14；滤波电阻E1和稳压二极管Z1组成。

主开关电路由芯片1M0880与周围元器件共同组成。

保护电路：由VD1；C10和R8组成高压尖峰吸收保护线路，由C4和R3组成MOS管开关保护线路；由C9和R1组成的二极管开关保护线路。

二次绕组整流滤波电路元器件就比较复杂，我们在下面再详细介绍。

我从网络上下载了主芯片的内部结构图，如下图所示：

规格书里介绍说，这款是周期过电流限制，具有过载、过压保护功能、欠压锁定、软启动、内部温度关断等优良的保护特性。

工作原理：

电源经保险管F1输入，电容C11、C12与扼流圈L1组成滤除电网共模干扰；C11、C12安规电容，电容C3和C6用于滤除电网差模干扰。

NTC是负温度系数热敏电阻，刚上电时电阻值较大，正常工作时，发热后电阻阻值变得较小，用于防止上电瞬间电网高压大电流对滤波电容E2、E3的冲击。

VD5为整流桥，将交流电压整流成脉动电压，再经E2、E3滤波，图中有个细节，那就是E2和E3都是200V耐压的电容，所以我们要将E2和E3进行串联；R9和R11分别E2和E3的放电电阻，在外接电源切断，芯片不能正常工作时，R9和R11就会将E2和E3上残留的电能进行释放，以免对人体意外触电。

R5为启动电阻，电压加到芯片的供电端，一旦系统正常工作后，二次绕组经VD4整流，E1滤波给芯片提供电源，电阻R12与电容E1组成RC滤波电路，提高电源的稳定性。稳压管Z1用于限制电压过高，防止损坏芯片，正常工作时，二次绕组的输出电压一般不会超过Z1的稳压值。

VD1、C10和R8组成RCD尖峰吸收电路，吸收芯片内部MOS管截止时一次绕组产生的尖峰电压。同理电阻R3和电容C4并联在芯片内部场效应管两端，也是起到保护作用。这种运用非常普遍，尤其是在可控硅电路中***为常见。

二次绕组整流由VD3承担，E3~E7为输出端滤波电容，5只470uF电容并联，相当于2350uF的容量。另外电容与L2构成π型滤波线路，输出稳定电压，纹波电压小，R13为电容的负载电阻，也可以称为放电电阻。R4为发光二极管DS1的限流电阻，用于指示电源正常工作与否。

稳压电路由电阻R2、R7、RW1和431共同组成，根据参数，我们可以计算出二次绕组的输出电压为：Uo=2.5*【1+R7/（R2+RW1）】；调节RW1的阻值，当RW1=0时，输出电压为27.5V；当RW=2K时，输出电压为22.6V。

稳压电路主要依靠431来平衡输出电压，当我们电源输出电压升高时，431的参考端电压也同步上升，驱动能力增强，经光耦拉低芯片的反馈FB脚电压，使得芯片开关占空比减小，输出电压相应降低，平衡了上升的电压值，达到自动控制平衡效果。

软启动功能是由芯片5脚来控制，初始上电瞬间，反馈信号还没有建立时，软启动可以限制芯片内部场效应管导通的至大电流，防止击穿。