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但是对于中低端的使用脉宽调制器构成的开关电源，那就必须要使用功率开关管。
前面我们说了，功率开关管主要分为两大类：一种为双极型功率开关管，它属于双极型晶体管，我们一般简称为BJT，以前我们也称为GTR，主要是因为它的输出功率大；第二种就是场效应晶体管MOS，其中包含我们前面说的绝缘栅—双极型晶体管IGBT，IGBT上次说了主要运用于交流变频器逆变器等电器设备中，其实我们日常中的电磁炉有些也有运用到。
我们在选择开关电源的功率开关管时，要注意它的导通压降和开关速度，这两个因素又与额定电压有关系，如果我们的额定电压升高，那么开关管的导通压降就越大，开关速度就越慢；依照我之前的设计经验，我会在满足额定电压为实际工作电压1.2--1.5倍的情况下，我会去选择其中至低功率的开关管。
双极型功率管属于电流驱动型器件，一般使用在1KV以下的场合，工作电流至大可达到几百安培，和场效应管相比较来说，价格是一大优势，缺点就是电流放大系数低，驱动电流较大，开关频率低，所以一般使用在中小功率的开关电源中。
我们在使用双极型功率开关管时要注意：我们在使用时，无论是在稳态或者瞬态的情况下，晶体管的工作电流和电压都不得超过安全工作范围，这个安全工作范围的临界值和环境温度、脉冲宽度都有关系，它并不是一个常量，如果我们的环境温度升高时，那安全工作范围就要缩小使用。
绝缘栅场效应管就是在金属栅极和沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此它具有很高的输入电阻，据我了解至高好像可以达到10^15欧姆；MOS管呢它分为两种形态：增强型和耗尽型。
增强型就是当Ugs=0时，MOS管呈现截止状态，如果N沟道的Ugs>0且P沟道的Ugs<0时，多数载流子就会被吸引到栅极，从而增强了这个区域的载流子，形成导电沟。
耗尽型则是当Ugs=0时就形成沟道，如果N沟道的Ugs<0，那么多数载流子就流出沟道，就会耗尽沟道载流子，让管子截止。
和双极型晶体相比较，MOS的开通时间短，只需要几纳秒，适合使用在开关频率1MHz的脉宽调制控制器中，MOS采用的是电压驱动，不需要静态驱动电流；可靠性高，不会出现二次击穿现象；而且通态电阻小，损耗低。
不知道有没有注意到我们日常电源设计中，MOS管见得比较多的是N沟道的，这是因为N沟道的通态电阻比P沟道的要小，且开关速度也快。
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